PAM XIAMEN è paragonabile al Regno Unito IQE da costruire Catena di fornitura del nucleo epitassiale asiatico VCSEL

Xiamen Powerway si concentra sulla R & S epitassiale composta da semiconduttori di fascia alta produzione.

Nel 2018, i VCSEL da 4 pollici e da 6 pollici furono prodotti in serie e inseriti nel produttori di chip tradizionali a Taiwan. Utilizzando l'MBE più avanzato (Epitaxy molecolare Epitaxial Beam) tecnologia di produzione di massa per raggiungere il massima qualità dei prodotti epitassiali VCSEL di maggiore qualità del settore. Come sempre più smartphone e fornitori di apparecchiature IT seguono le orme di Apple, Saranno i sistemi di sensori 3D basati su VCEL (Vertical Cavity Surface Emitting Lasers) integrato nella loro nuova elettronica.

Secondo a Memes Consulting, la spedizione di chip VCSEL per smartphone il prossimo anno è dovrebbe raddoppiare a 240 milioni nel 2018. Nei prossimi cinque anni, il globale Mercato VCSEL volontà continuare a crescere con la capacità di fornitori rilevanti nel mercato internazionale arena. Le dimensioni del mercato cresceranno a $ 3,12 miliardi entro il 2022, con un composto tasso di crescita annuale del 17,3%. I fornitori di dispositivi VCSEL di Taiwan si stanno preparando per la forte crescita di VCSEL i saldi nel 2018. Fornitori di chip VCSEL internazionali: come Lumentum Holdings, Finisar, Anche Princeton Optronics, Heptagon, si occupa anche di una parte di il mercato in questo campo.

A lo stesso tempo, Xiamen Powerway Si concentra su il processo MBE (epitassia a fascio molecolare) di altissima qualità del settore. Con il espansione del rilevamento 3D, data center e applicazioni 5G, la tecnologia MBE lo farà entrare nel mercato mainstream in futuro. Xiamen Powerway ha iniziato a fornire PHEMT di grandi dimensioni da 6 pollici, VCSEL, laser (da 750nm a 1100nm), QWIP, PIN (GaAs, InP) e prodotti della struttura epitassiale del data center 25G. Con l'uso crescente della tecnologia VCSEL, la linea di prodotti dell'azienda si espanderà da comunicazioni, comunicazioni ottiche e rilevamento a radar laser, industriale riscaldamento, visione artificiale e applicazioni laser medicali. Nel 2018, VCSEL lo farà diventare la principale forza trainante per la crescita a lungo termine di Xiamen Powerway.

VCSEL emissione di lunghezze d'onda confronto tra i raggi

Finisar, un fornitore di chip VCSEL negli Stati Uniti, ha attirato l'attenzione di recente e si sta espandendo impianti a Sherman, Texas, USA, con un investimento di $ 390 milioni da Mela. La nuova capacità aggiunta dovrebbe essere operativa nel secondo metà del 2018. Con la crescita della capacità VCSEL di Finisar, combinata con quella esistente Capacità di fornitura Lumentum, Apple dovrebbe applicare la faccia profonda 3D tecnologia di riconoscimento per altri prodotti oltre l'iPhone X, come il grande taglia iPad e applicazioni nel campo AR (Augmented Reality).

Xiamen Powerway produce il primo wafer epitassiale a semiconduttore 940nm VCSEL della Cina da 4 pollici

Secondo a IQE, il più grande fornitore britannico di wafer epitassiali per wafer, la crescita annuale il tasso delle sue entrate optoelettroniche è raddoppiato a causa della domanda di VCSEL. La performance finanziaria di IQE quest'anno è destinata a registrare un nuovo record. Come Lo sviluppo del prodotto VCSEL entra a far parte della produzione di massa a giugno di quest'anno, lo è anche il principale motore della crescita dei ricavi di IQE quest'anno. IQE ha detto che l'ondata nel mercato su larga scala per i wafer VCSEL segna una svolta nel commercializzazione della tecnologia. La società ha vinto diversi anni contratti per l'aumento VCSEL, che riflette il suo track record di mettere wafer nel mercato dei beni di consumo di massa. Di conseguenza, il consiglio di amministrazione della società ha ora approvato un piano di espansione della capacità per soddisfare il livello più elevato previsto domanda nella seconda metà del 2018. Xiamen Powerway è il primo fornitore epitassiale optoelettronico microelettronico di nucleo domestico. Con il vantaggio della proprietà intellettuale che ha stabilito negli ultimi anni, e la sua capacità di wafer di processo MBE da 8 pollici multipli da 6 pollici, richiederà la massa produzione di prodotti VCSEL multistrato complessi e continuerà a investire in futuro per raggiungere controparte nazionale IQE forza tecnica e vantaggi di capacità.

Struttura VCSEL

UN il risonatore laser è costituito da un riflettore Bragg decentralizzato bilaterale (DBR) parallelo alla superficie di una zona di reazione attiva del chip, che consiste in una a diversi pozzi quantici in cui è presente la banda di luce laser. Un DBR planare è costituito da diversi strati di lenti ad alto e basso indice di rifrazione differenti. Ogni strato di lente ha uno spessore di un quarto della lunghezza d'onda del laser e conferisce un'intensità di riflessione superiore al 99%. Per bilanciare il corto lunghezza dell'asse della regione del guadagno nel VCSEL, è una lente ad alta riflettività necessario.

Grafico SEQ 图表 * ARABO 1 VCSEL

Nel un tipico VCSEL, le lenti superiore e inferiore sono placcate con un materiale di tipo p e un materiale di tipo n, rispettivamente, per formare un diodo a giunzione. In più complesso le strutture, le regioni di tipo p e quelle di tipo n possono essere sepolte nell'obiettivo, consentendo di più semiconduttori complessi da elaborare nella regione di reazione per collegare il circuito e rimuovere la perdita di energia elettronica nella struttura DBR.

VCSEL i laboratori usano nuovi sistemi materiali per la ricerca e la zona di reazione può essere pompata da fonti esterne a breve lunghezza d'onda (di solito altri laser). Questo consente VCSEL essere dimostrato senza considerare ulteriori problemi di raggiungimento del bene qualità del circuito; tuttavia tali dispositivi non sono pratici per la maggior parte delle applicazioni. UN VCSEL tipico con una lunghezza d'onda da 650 nm a 1300 nm è basato su un gallio chip di arsenide composto da DBR composto da arseniuro di gallio (GaAs) e [alluminio arseniuro di gallio] (AlxGa (1-x) As). I sistemi GaAs / AlGaAs sono molto adatti per fabbricare VCSEL perché la costante reticolare del materiale non cambia molto fortemente quando la composizione cambia e consente più reticoli abbinati strati di ringiovanimento per crescere sullo strato sottostante di arseniuro di gallio. Tuttavia, all'aumentare della molecola di Al, l'indice di rifrazione dell'alluminio l'arseniuro di gallio diventa più forte e, rispetto ad altri sistemi, è efficace Lo specchio di Bragg è formato e il numero di strati utilizzati è ridotto al minimo. Nel Inoltre, nella parte più concentrata dell'alluminio, un ossido forma AlGaAs, che può essere usato per limitare la corrente nel VCSEL per raggiungere una soglia bassa attuale.

Grafico SEQ 图表 * ARABO 2 inserito VCSEL

Là sono due metodi principali recentemente per limitare la corrente in un VCSEL, che sono diviso in due tipi in base alle loro caratteristiche: un ione incorporato VCSEL e un VCSEL ossidato.

Nel All'inizio degli anni '90, le società di comunicazione elettronica erano più inclini a usare VCSEL integrati agli ioni. Gli ioni idrogeno H + sono tipicamente impiantati nel VCSEL struttura, tranne ovunque venga utilizzata la cavità risonante, per interrompere il reticolo struttura attorno alla cavità risonante, limitando il flusso di corrente. A metà degli anni '90, queste aziende hanno seguito la tecnologia dei VCSEL ossidati. Il VCSEL ossidato utilizza la reazione di ossidazione del materiale che circonda il risonatore VCSEL per limitare la corrente, mentre lo strato di metallo contenente più alluminio all'interno del La struttura VCSEL è ossidata. Anche i laser ossidati usano spesso gli ioni tecniche. Pertanto, in un VCSEL ossidato, il percorso della corrente è limitato dalla cavità risonante incorporata negli ioni e dalla cavità risonante ossidante.

Dovuto alla tensione dello strato di ossido e altri difetti, la cavità cominciò a "popping off", quindi l'uso iniziale di VCSEL ossidato ne ha incontrati molti le difficoltà. Tuttavia, dopo molti test, ha dimostrato che la sicurezza di VCSEL è molto completo. Nello studio VCSEL ossidato di Hewlett Packard, "pressione fa sì che l'energia di attivazione del VCSEL ossidato sia simile a quella del tessuto ciclo di vita rispetto all'energia di uscita emessa dal VCSEL incorporato. "

quando l'industria passa dalla ricerca e sviluppo alla modalità di produzione di VCSEL ossidati, crea anche difficoltà di produzione. Il tasso di ossidazione di lo strato di ossido ha una relazione molto grande con il contenuto di alluminio. Come Finché il contenuto di alluminio cambia leggermente, il tasso di ossidazione cambierà e la specifica della cavità sarà troppo grande o troppo piccola.

UN dispositivo a lunghezza d'onda lunga avente una lunghezza d'onda da 1300 nm a 2000 nm ha a meno confermato che la sua regione di attivazione è composta da fosfuro di indio. I VCSEL con lunghezze d'onda più lunghe sono sperimentalmente basati e sono tipicamente pompe ottiche. Un VCSEL a 1310 nm è preferito oltre il limite minimo di lunghezza d'onda di una fibra a base di silicio.

Informazioni su Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd

Trovato nel 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), leader nel settore produttore di wafer epitassiali VCSEL in Cina, la sua attività coinvolge GaAs rivestimento materiale Substrato GaAs , Wafer epitassiale GaAs .

KeyWords : Laser da 635 nm a Laser a 1550 nm per telecomunicazioni / laser IR, VCSEL, rivelatore IR / PIN, mercato VCSEL

diodo laser, ingaalas, InGaAlP, alingap, galas, ingaasp, crescita epitassiale nella fabbricazione di ic,

processo di crescita epitassiale, crescita epatica, epilayer, wafer laser, produttori di wafer epitassiali

Per maggiori informazioni, si prega di visitare il nostro sito:www.semiconductorwafers.net ,

inviare noi e-mail aangel.ye@powerwaywafer.com opowerwaymaterial@gmail.com .