la curvatura di prua del substrato gan indipendente è significativamente diminuita in modo quasi lineare da 0,67 a 0,056 m-1 (ovvero il raggio di curvatura è aumentato da 1,5 a 17,8 m) con aumento del tempo di attacco al plasma accoppiato induttivamente alla faccia n-polare e alla fine cambiò la direzione di prua da convessa a concava. inoltre, sono state dedotte le influenze della curvatura di prua sulla larghezza piena misurata a metà massimo (fwhm) della diffrazione dei raggi X ad alta risoluzione (hrxrd) in (0 0 2), che si sono ridotte da 176,8 a 88,8 arcsec con aumento in tempo di incisione icp. la diminuzione della distribuzione non omogenea delle dislocazioni di filettatura e dei difetti puntiformi nonché i difetti complessi vga-on sulla rimozione dello strato gan dalla faccia n-polare, che ha rimosso una grande quantità di difetti, è stata una delle ragioni che hanno migliorato l'inclinazione del substrato gan in piedi. un altro motivo era l'elevato rapporto di aspetto del gan aghiforme che appariva sulla faccia n-polare dopo l'incisione con icp, che rilasciava il ceppo compressivo del substrato gan free-standing. così facendo, si potevano ottenere substrati gan senza cricche ed estremamente piatti con un raggio di curvatura di 17,8 m.

parole chiave

a1. incisione; a1. substrato gan; a3. epitassia fase vapore idruro; b1. nitruri; b2. Gan

fonte: ScienceDirect

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