abbiamo usato mbe per crescere in aln / gan superlattici, con un numero diverso di periodi, su modelli di movpe-gan da 2,5 μm per studiare lo sviluppo di difetti come la deformazione superficiale dovuta allo strain. dopo la crescita i campioni sono stati studiati mediante microscopia a forza atomica (afm), microscopia elettronica a trasmissione (tem), spettroscopia infrarossa a trasformata xrd e fourier (ft-ir). la tensione aumentava con il numero di pozzi quantistici (qws) e alla fine causava difetti come microcracks visibili al microscopio ottico in quattro o più periodi di qw. le immagini tematiche ad alta risoluzione mostravano basse recessioni sulla superficie (deformazione superficiale) che indicavano la formazione di microcracks nella regione del mqw. l'intersuolabile misurata (è) linewidth di assorbimento da una struttura di quattro periodi era 97 mev, che è paragonabile con lo spettro di una struttura di 10 periodi ad una energia di assorbimento di ~700 mev. questo indica che la qualità dell'interfaccia del mqw non è sostanzialmente influenzata dalla presenza di cricche.

parole chiave

intersottobanda; Gan; MBE; crepe superficiali; substrato di zaffiro; modello

fonte: ScienceDirect

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