Processi di crescita epitassiali per Politipi di SiC in cui a Substrato SiC viene impiegato sono studiati utilizzando un modello di crescita a strati. Vengono forniti i corrispondenti diagrammi di fase dei processi di crescita epitassiali. I calcoli del primo principio sono usati per determinare i parametri nel modello di crescita stratificato. I diagrammi della fase di crescita stratificata mostrano che quando è consentito il riarrangiamento degli atomi in un doppio strato di Si-C superficiale, si forma la struttura 3C-SiC.

Quando è consentito il riarrangiamento degli atomi in due strati di Si-C superficiali, il 4H-SiC la struttura è formata. Quando è consentito il riarrangiamento degli atomi in più di due bistrati di Si-C di superficie, eccetto il caso di cinque bistrati di Si-C superficiali, viene formata la struttura 6H-SiC, che è anche mostrata come la struttura dello stato fondamentale. Quando è permesso il riarrangiamento degli atomi in cinque strati di Si-C superficiali, si forma la struttura 15R-SiC. Quindi la fase 3C-SiC crescerebbe epitassialmente a bassa temperatura, la fase 4H-SiC crescerebbe epitassialmente a temperatura intermedia e la 6H-SiC o le fasi 15R-SiC crescono epitassialmente a temperature più elevate.

fonte: iopscience

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