Abbiamo misurato gli spettri infrarossi in trasformata di Fourier in trasmissione del carburo di silicio cubico(politipo 3C-SiC) strato epitassiale con uno spessore di 20 µm su un substrato di silicio spesso 200 µm. Gli spettri sono stati registrati nell'intervallo di numeri d'onda 400-4000 cm-1. Viene presentato un nuovo approccio al calcolo degli spettri IR basato sulla capacità di ricorsione del linguaggio di programmazione C sulla base della propagazione della luce polarizzata in mezzi stratificati utilizzando le equazioni di Fresnel generalizzate. Gli indici di rifrazione complessi sono gli unici parametri di input. Si trova un notevole accordo tra tutte le caratteristiche spettrali sperimentali di SiC e Si e gli spettri calcolati. Un'assegnazione completa di (i) le due modalità fononiche trasversali fondamentali (TO) (790 cm-1) e ottiche longitudinali (LO) (970 cm-1) di 3C – SiC, (ii) con i loro armonici (1522–1627 cm−1) e (iii) le bande di sommatoria ottico-acustica a due fononi (1311–1409 cm−1) sono ottenute sulla base dei dati disponibili in letteratura. Questo approccio consente di ordinare i rispettivi contributi del substrato Si eStrato superiore in SiC . Tali calcoli possono essere applicati a qualsiasi mezzo, a condizione che i dati complessi dell'indice di rifrazione siano noti.

Fonte: IOPscience

Per ulteriori informazioni, visitare il nostro sito web:  www.semiconductorwafers.net ,

inviaci un'email a  sales@powerwaywafer.com  e  powerwaymaterial@gmail.com