In questo studio, uno strato InP è stato trasferito su un substrato di Sirivestito con un ossido termico, attraverso un processo che combina il processo di taglio ionico e l'attacco chimico selettivo. Rispetto al taglio ionico convenzionale dei wafer InP sfusi, questo schema di trasferimento dello strato non solo sfrutta il taglio ionico risparmiando i restanti substrati per il riutilizzo, ma sfrutta anche l'attacco selettivo per migliorare le condizioni della superficie trasferita senza utilizzare il trattamento chimico e meccanico lucidatura. Un'eterostruttura InP/InGaAs/InP inizialmente coltivata da MOCVD è stata impiantata con ioni H+. L'eterostruttura impiantata è stata unita a un wafer di Si rivestito con uno strato termico di SiO2. Alla successiva ricottura, la struttura legata si è esfoliata alla profondità attorno all'intervallo proiettato dell'idrogeno situato nel substrato InP. La microscopia a forza atomica ha mostrato che dopo incisioni chimiche selettive sulla struttura trasferita,

Fonte: IOPscience

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