materiale avanzato xiamen powerwayco., ltd., un fornitore leader di struttura epitassiale a diodi laser e altroprodotti e servizi correlati hanno annunciato la nuova disponibilità di taglia 3 \" è in produzione di massa nel 2017. questo nuovo prodotto rappresenta un naturaledipendenza da pam-Xiamen La linea di prodotti.

dr. shaka, disse: \"siamo contenti dioffrire una struttura epitassiale a diodi laser ai nostri clienti, inclusi molti che lo sonosviluppo migliore e più affidabile per laser dpss. il nostro diodo laser epitassialela struttura ha proprietà eccellenti, profilo di doping su misura per basso assorbimentoperdite e funzionamento single mode ad alta potenza, regione attiva ottimizzata per il 100%efficienza quantica interna, design speciale a larga guida d'onda (bwg) per altafunzionamento elettrico e / o divergenza a basse emissioni per un accoppiamento efficace della fibra.la disponibilità migliora i processi di crescita e wafer di boule. \"e\"ora i nostri clienti possono beneficiare della maggiore resa del dispositivo previstaquando si sviluppano transistor avanzati su un substrato quadrato. il nostro diodo laserstruttura epitassiale sono naturali dai prodotti dei nostri sforzi in corso, attualmentesiamo impegnati a sviluppare continuamente prodotti più affidabili. \"

pam-Xiamen Il laser è miglioratola linea di prodotti di struttura epitassiale a diodi ha beneficiato di un forte supporto tecnicodall'università nativa e dal centro di laboratorio.

ora mostra unesempio come segue:

808nm

905nm

a proposito di xiamenpowerway advanced material co., ltd

trovato nel 1990, xiamen powerway avanzatomateriale co., ltd (pam-xiamen) è un produttore leader di compostimateriale semiconduttore in cina. pam-xiamen sviluppa una crescita cristallina avanzatae tecnologie epitassiali, processi di produzione, substrati ingegnerizzati edispositivi a semiconduttore. Le tecnologie di pam-xiamen consentono prestazioni più elevate eproduzione a basso costo di wafer a semiconduttore.

sul diodo laserstruttura epitassiale

la struttura epitassiale del diodo laser ècresciuto usando una delle tecniche di crescita dei cristalli, solitamente partendo da un nsubstrato drogato e crescita dello strato attivo drogato, seguito dal drogato privestimento e uno strato di contatto. lo strato attivo più spesso è costituito da quantumpozzi, che forniscono corrente di soglia inferiore e maggiore efficienza.

q & un

c: grazie peril tuo messaggio e le informazioni.

è moltointeressante per noi.

1. diodo laser 3struttura epitassiale in pollici per 808 nm qtà: 10 n.

potresti inviarcispessore degli strati e informazioni sul drogaggio per 808 nm.

specifica:

1. laser 3genericostruttura epitassiale per emissione 808nm

i.gaas quantumlunghezza d'onda bene pl: 799 +/- 5 nm

abbiamo bisogno di un piccoemissione pl: 794 +/- 3 nm, potresti produrla?

lunghezza d'onda ii.pluniformità: \u0026 lt; = 5nm

iii. difettodensità: \u0026 lt; 50 cm -2

iv. livello di dopinguniformità: \u0026 lt; = 20%

v. livello di dopingtolleranza: \u0026 lt; = 30%

VI. frazione molare(x) tolleranza: +/- 0,03

vii.epilayeruniformità di spessore: \u0026 lt; = 6%

viii.thicknesstolleranza: +/- 10%

ix.n + gaassubstrato

x.substrateEPD \u0026 lt; 1 e3 cm -2

xi.substratecarrier c: 0.5-4.0x e18 cm-2

xii.major flatorientamento: (01-1) ± 0.05º

abbiamo bisogno anche di teproposta per 980 e 1550nm epi-wafers.come indicato di seguito (al vostrosito web) ingaasp / ingaas su supporti inp

noi forniamoingaasp / ingaas epi su supporti inp come segue:

1.Struttura:1.55um ingaasp qw laser

potresti informareanche sui parametri ld dei lds prodotti per i tuoi pi-wafer standard?

cos'è l'output ppotenza di ld in cw con singolo emettitore con larghezza area di emissione = 90-100um,

per esempio obecco per barra ld con larghezza area di emissione = 10mm?

in attesaper la tua risposta veloce alle domande di cui sopra.

p: vedi sottoper favore:

808nm

905nm

c: siamointeressato a epi-wafer con lunghezza d'onda laser 808 nm.

per favore inviateminoi campioni di valutazione a scopo di valutazione e adeguamento

delprocesso tecnologico perché la nostra applicazione è dpss laser e dobbiamo

parole chiave: fibralaser, laser sintonizzabile, laser dfb, laser vcsel, diodo laser,

dpss laser vslaser a diodi, prezzo laser dpss, laser a stato solido pompato a diodi,

fibra pompata a diodilaser, applicazioni laser a stato solido pompate a diodi,

per piùinformazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.semiconductorwafers.net ,

Inviacie-mail a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com