q: dopo il mocvd, annulli il wafer per l'attivazione di p-gan? R: Sì! annicheremo il wafer per l'attivazione di p-gan
q: per pss wafer, la luce esce dal lato p-gan non dallo zaffiro, quindi non posso fare l'imballaggio con il flipchip. inoltre non so se il decollo laser è possibile per il wafer pss. a: la luce del led proviene dalla luce di mqw, emettendo in tutte le direzioni, p-gan è positivo (lato anteriore), si accenderà naturalmente, anche ogni retro si accenderà. Sul fondo dello zaffiro è anche luce, e quindi attraverso il luce riflessa da altri angoli, vedi sotto: l'immagine superiore è l'imballaggio tradizionale a led. immagine in basso è l'imballaggio a flipchip.
q: hai i dati di caratterizzazione ottica per questo wafer ingan? vogliamo sapere la lunghezza d'onda desiderata che emette quando eccitata otticamente. uno spettro pl sarebbe perfetto. inoltre, l'ingan è cresciuto su qualsiasi strato tampone? qual è l'uniformità della composizione di indio? nessuno in segregazione o cluster? a: secondo i nostri dati xrd, tutti e tre in concentrazione (10%, 20%, 30%), c'è un picco a ~ 34,5 gradi. uno spettro pl è preferito come allegato.
q: quale rapporto atomico per si / c in sic? a: il rapporto atomico per si / c in sic è 1: 1
q: potresti dirci anche che tipo di 4-h polytype sic sudstrate sei in grado di fornire? A: sure.
q: dislocation density \u0026 lt; 1e8 di gan su zaffiro da che tipo di caratterizzazione? a: considerando la dislocazione del bordo e la dislocazione di miscelazione e poi raggiunta da xrd
q: per gan si-drogato, quali sono la resistività e la mobilità? un: mobilità: 150-200resistivity \u0026 lt; 0.05ohm.cm,
q: in realtà vogliamo controllare il nostro metodo di misurazione della riflettanza (tipo di specchio) su una struttura a led su un wafer pss. sarebbe possibile ottenere la stessa struttura a led sia su un wafer ps sia su un wafer lucidato su un lato in modo da poter confrontare i due direttamente? A: sure.
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