il raddrizzatore a diodi ad alta potenza è un elemento fondamentale dei circuiti di conversione di potenza. recenti revisioni dei risultati dei raddrizzatori sperimentali sic sono riportate nei riferimenti 3, 134, 172, 180 e 181. la maggior parte dei progetti di dispositivi di raddrizzatore di diodo sic i trade-off approssimativamente paralleli ben noti di raddrizzatori al silicio, eccetto per il fatto che le densità di corrente , tensioni, densità di potenza e velocità di commutazione sono molto più alte in sic. ad esempio, i raddrizzatori a diodo schottky a semiconduttore sono dispositivi di trasporto di maggioranza che notoriamente presentano una commutazione molto veloce a causa dell'assenza di accumulo di carica di portatore minoritario che domina (cioè rallenta, provocando negativamente potenza indesiderata e calore) l'operazione di commutazione di bipolare raddrizzatori a giunzione pn. tuttavia, il campo di ripartizione alto e l'ampia banda proibita di energia consentono il funzionamento di diodi schottky di metallo-semiconduttore a tensioni molto più elevate (superiori a 1 kv) di quanto non sia pratico con diodi schottky a base di silicio che sono limitati a operazioni inferiori a ~ 200 v a causa di inversioni molto più elevate. bias dispersione termoionica.