alla fine degli anni '70, tairov e tzvetkov stabilirono i principi di base di un processo di crescita a sublimazione di semi modificati per la crescita di 6 ore. questo processo, noto anche come processo lely modificato, fu un passo avanti per sic in quanto offrì la prima possibilità di riprodurre in modo accettabile singoli cristalli singoli di sic che potevano essere tagliati e lucidati in wafer di produzione di massa. il processo di crescita di base si basa sul riscaldamento di materiale sorgente policristallino sic a ~ 2400 ° c in condizioni, dove sublima nella fase vapore e successivamente si condensa su un cristallo di seme più fresco. Questo produce una boule un po 'cilindrica di cristallo singolo sic che cresce più alto all'incirca al ritmo di pochi millimetri all'ora. ad oggi, l'orientamento preferito della crescita nel processo di sublimazione è tale che la crescita verticale di una boule cilindrica più alta procede lungo il \u0026 lt; 0 0 0 1 \u0026 gt; direzione dell'asse c cristallografico (cioè direzione verticale in figura 5.1). i wafer circolari \"c-axis\" con superfici normali (cioè perpendicolari entro 10 °) all'asse c possono essere segati dalla boule approssimativamente cilindrica. dopo anni di ulteriore sviluppo del processo di crescita della sublimazione, cree, inc., divenne la prima azienda a vendere wafer semiconduttori con diametro di 2,5 cm orientati verso l'asse c 6h-sic nel 1989. corrispondentemente, la stragrande maggioranza dello sviluppo e dell'elettronica semiconduttori sic la commercializzazione è avvenuta dal 1990 utilizzando wafer sic orientati all'asse c dei politipi di 6h e 4h sic. wafer di tipo n, di tipo p e semiinsulating sic di varie dimensioni (attualmente grandi come 7,6 cm di diametro) sono ora disponibili in commercio da una varietà di fornitori. vale la pena notare che le conduttività dei substrati ottenibili per i wafer di tipo p sono più di 10 × inferiori rispetto ai substrati di tipo n, che è in gran parte dovuto alla differenza tra le energie di ionizzazione drogante donatore e accettore in sic (tabella 5.1). più recentemente, le wafer sic sono cresciute con fonti di gas invece di sublimazione di fonti solide o una combinazione di gas e fonti solide sono state commercializzate. la crescita di sic boule e wafer orientati lungo altre direzioni cristallografiche, come gli orientamenti \"a-face\", sono stati studiati anche nell'ultimo decennio. mentre questi altri orientamenti sic wafer offrono alcune interessanti differenze nelle proprietà del dispositivo rispetto ai wafer orientati all'asse c convenzionale (menzionati brevemente nella sezione 5.5.5), tutte le parti elettroniche commerciali prodotte (come da questa scrittura) sono prodotte usando l'asse C wafer orientati.

le dimensioni, i costi e la qualità dei wafer sono tutti molto critici per la producibilità e la resa del processo della microelettronica a semiconduttore prodotta in serie. rispetto ai normali standard di wafer di silicio, i wafer di oggi 4h e 6h sic sono più piccoli, più costosi e generalmente di qualità inferiore che contengono